Москва
 +7(993)080-09-37

SIHU6N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,2А; Idm: 10А; 62,5Вт

Написать отзыв
SIHU6N80AE-GE3
312.87 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
50+
100+
Цена
217.07 ₽
179.64 ₽
154.94 ₽
138.47 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHU6N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,2А; Idm: 10А; 62,5Вт" 1.

Отложить
Артикул производителя
SIHU6N80AE-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
22,5нC
Корпус
IPAK, TO251
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
800В
Обозначение производителя
SIHU6N80AE-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
62,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,95Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
3,2А
Ток стока в импульсном режиме
10А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России