Товары из категории транзисторы - страница 452

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12/23нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
135.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ704DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 12/16А; 20/30Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18/60нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
152.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ710DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 16/35А; 27/48Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21/65нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
160.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ902DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 16А; Idm: 50÷80А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12/23нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
126.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ904DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 12/16А; 20/33Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21/105нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
134.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ918DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 16/28А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19/41нC МонтажSMD Напряжение сток-исток25В
134.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ926DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 40/60А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18/79нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
167.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ980BDT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18/77нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
160.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ980DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18/44,3нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
152.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ998DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/62нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
131.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZF300DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора49/200нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
157.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZF906ADT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора49/200нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
210.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZF906DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21/98нC МонтажSMD Напряжение сток-исток25В
179.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZF914DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 25В" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/95нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
159.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZF916DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/56нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
160.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZF918DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В" 3000.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
22 861.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK280MB10 24920970, Модуль; транзистор/транзистор; 100В; 335А; SEMITOP3; Press-in PCB" 1.

Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяSMMBF4393LT1G Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
131.42 
Доступность: 2909 шт.
 

Минимальное количество для товара "SMMBF4393LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяSMMBFJ175LT1G Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
70.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SMMBFJ175LT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяSMMBFJ177LT1G Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
49.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SMMBFJ177LT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяSMMBFJ309LT1G Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
74.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SMMBFJ309LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж