Товары из категории транзисторы - страница 451

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
30.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIUD403ED-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -500мА; Idm: -0,8А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,6нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
23.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIUD406ED-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 500мА; Idm: 0,8А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,71нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±5В
40.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIUD412ED-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12В; 500мА; Idm: 1,5А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30/28нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
100.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ200DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 61А; Idm: 130А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/23нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
127.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ240DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 48А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
117.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ250DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 38А; Idm: 80А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
121.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ256DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 70В; 31,8А; Idm: 60А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
117.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ260DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 80В; 24,7А; Idm: 60А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
142.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ270DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 19,5А; Idm: 40А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/12нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
117.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ300DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 28/11А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15/26,7нC МонтажSMD Напряжение сток-исток25В
83.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ320DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 30/40А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20,1нC МонтажSMD Напряжение сток-исток25В
77.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ322DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 30А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27,9/12,2нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
77.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ340ADT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 33,4/69,7А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23,5/12,6нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
63.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ340BDT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 36/69,3А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19/35нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
75.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ340DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30/40А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,2нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
76.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ342ADT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 33,4А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
91.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ342DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10/20нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
64.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ346DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 17/30А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18,2нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
115.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ348DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20,3нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
114.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZ350DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 100А" 3000.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж