Товары из категории транзисторы, стр.608

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
SIA437DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
62.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA437DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -29,7А; Idm: -60А" 3000.

0.0
SIA440DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
78.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA440DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт" 1.

0.0
SIA441DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
104.65 
Доступность: 2815 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIA441DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -12А; Idm: -30А" 1.

0.0
SIA445EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
51.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA445EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -50А" 3000.

0.0
SIA445EDJT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора69нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
35.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA445EDJT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -50А" 3000.

0.0
SIA446DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
136.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA446DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 7,7А; Idm: 10А; 12Вт" 1.

0.0
SIA447DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
66.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA447DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -12А; Idm: -50А; 12Вт" 1.

0.0
SIA449DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
89.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA449DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -30А; 12Вт" 1.

0.0
SIA456DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,5нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
131.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA456DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 2,6А; Idm: 2А; 12Вт" 1.

0.0
SIA461DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
72.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA461DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -20А" 1.

0.0
SIA462DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
24.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA462DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 40А; 19Вт" 3000.

0.0
SIA466EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
55.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA466EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 25А; Idm: 50А" 3000.

0.0
SIA468DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
47.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA468DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 37,8А; Idm: 70А" 3000.

0.0
SIA469DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
78.29 
Доступность: 2182 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIA469DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -40А" 1.

0.0
SIA471DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27,8нC МонтажSMD Напряжение сток-исток-30В
90.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA471DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -30,3А; Idm: -70А" 1.

0.0
SIA472EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
43.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA472EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А" 3000.

0.0
SIA477EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
39.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA477EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -50А" 3000.

0.0
SIA477EDJT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
35.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA477EDJT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -50А" 3000.

0.0
SIA483ADJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC МонтажSMD Напряжение сток-исток-30В
27.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA483ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -60А" 3000.

0.0
SIA483DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
109.30 
Доступность: 2778 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIA483DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -40А; 12Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж