Транзисторы | купить в розницу и оптом

IRFZ44VZSPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 40А; 92Вт; D2PAK

0.0

КОД:

IRFZ44VZSPBF

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора43нC КорпусD2PAK МонтажSMD

299³⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IRFZ44VZSPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 40А; 92Вт; D2PAK" 10.

IRL520NPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10А; 48Вт; TO220AB

0.0

КОД:

IRL520NPBF

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора13,3нC КорпусTO220AB МонтажTHT

0⁰⁰ ^₽

Доступность: 241 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IRL520NPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10А; 48Вт; TO220AB" 1.

IRL540PBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 20А; 150Вт; TO220AB

0.0

КОД:

IRL540PBF

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора64нC КорпусTO220AB МонтажTHT

163⁷³ ^₽

Доступность: 483 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IRL540PBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 20А; 150Вт; TO220AB" 3.

IRL630PBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 5,7А; 74Вт; TO220AB

0.0

КОД:

IRL630PBF

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора40нC КорпусTO220AB МонтажTHT

416³⁷ ^₽

Доступность: 998 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IRL630PBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 5,7А; 74Вт; TO220AB" 10.

IRL7833PBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 150А; 140Вт; TO220AB

0.0

КОД:

IRL7833PBF

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора32нC КорпусTO220AB МонтажTHT

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IRL7833PBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 150А; 140Вт; TO220AB" 1.

IRLD014PBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,2А; 1,3Вт; HVMDIP

0.0

КОД:

IRLD014PBF

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора8,4нC КорпусHVMDIP МонтажTHT

279⁹³ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IRLD014PBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,2А; 1,3Вт; HVMDIP" 10.

IXFN50N120SIC, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; винтами; 100нC

0.0

КОД:

IXFN50N120SIC

Вид каналаобогащенный Время готовности26нс Заряд затвора0,1мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

17 561⁶² ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN50N120SIC, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; винтами; 100нC" 3.

IXTQ120N15P, Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; полевой; 150В; 120А; 600Вт; TO3P

0.0

КОД:

IXTQ120N15P

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности150нс Заряд затвора150нC КорпусTO3P

1 478⁸⁷ ^₽

Доступность: 8 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXTQ120N15P, Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; полевой; 150В; 120А; 600Вт; TO3P" 3.

IXTT16N10D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 16А; 830Вт; TO268; 940нс

0.0

КОД:

IXTT16N10D2

Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Время готовности940нс КорпусTO268 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTT16N10D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 16А; 830Вт; TO268; 940нс" 1.

IXTZ550N055T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 550А; 600Вт; DE475; 100нс

0.0

КОД:

IXTZ550N055T2

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности100нс Заряд затвора595нC КорпусDE475

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTZ550N055T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 550А; 600Вт; DE475; 100нс" 1.

MWI50-12A7T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 60А

0.0

КОД:

MWI50-12A7T

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMWI50-12A7T

31 174³⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "MWI50-12A7T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 60А" 3.

NTE132, Транзистор: N-JFET; полевой; 25В; 20мА; 0,2Вт; TO106; Igt: 10мА

0.0

КОД:

NTE132

Вид упаковкироссыпью КорпусTO106 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-25В Напряжение сток-исток25В

0⁰⁰ ^₽

Доступность: 6 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "NTE132, Транзистор: N-JFET; полевой; 25В; 20мА; 0,2Вт; TO106; Igt: 10мА" 1.

NTE2385, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт; TO220

0.0

КОД:

NTE2385

Вид каналаобогащенный КорпусTO220 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В

0⁰⁰ ^₽

Доступность: 12 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "NTE2385, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт; TO220" 1.

NTE2395, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 36А; Idm: 200А; 150Вт; TO220

0.0

КОД:

NTE2395

Вид каналаобогащенный КорпусTO220 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

0⁰⁰ ^₽

Доступность: 1 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "NTE2395, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 36А; Idm: 200А; 150Вт; TO220" 1.

NTE2916, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 35А; Idm: 200А; 300Вт; TO247

0.0

КОД:

NTE2916

Вид каналаобогащенный КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В

0⁰⁰ ^₽

Доступность: 2 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "NTE2916, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 35А; Idm: 200А; 300Вт; TO247" 1.

NTE458, Транзистор: N-JFET; полевой; 50В; 20мА; 0,25Вт; TO92; Igt: 10мА

0.0

КОД:

NTE458

Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-50В Напряжение сток-исток50В

0⁰⁰ ^₽

Доступность: 7 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "NTE458, Транзистор: N-JFET; полевой; 50В; 20мА; 0,25Вт; TO92; Igt: 10мА" 1.

NTE459, Транзистор: N-JFET; полевой; 50В; 10мА; 0,3Вт; TO72; Igt: 10мА

0.0

КОД:

NTE459

Вид упаковкироссыпью КорпусTO72 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-50В Напряжение сток-исток50В

0⁰⁰ ^₽

Доступность: 5 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "NTE459, Транзистор: N-JFET; полевой; 50В; 10мА; 0,3Вт; TO72; Igt: 10мА" 1.

NX138AKR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,12А; 0,265Вт; SOT23,TO236AB

0.0

КОД:

NX138AKR

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSOT23, TO236AB

26⁴¹ ^₽

Доступность: 4864 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "NX138AKR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,12А; 0,265Вт; SOT23,TO236AB" 10.

P66F7R5SN-5600, Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт

0.0

КОД:

P66F7R5SN-5600

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью Заряд затвора115нC КорпусFTO-220AG (SC91) МонтажTHT

242⁰⁸ ^₽

Доступность: 48 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "P66F7R5SN-5600, Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт" 5.

PMV60ENEAR, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 40В; 2,1А; Idm: 12А; ESD

0.0

КОД:

PMV60ENEAR

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусSOT23, TO236AB

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

PSI 130/06, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В

0.0

КОД:

PSI130/06

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусECO-PAC 2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяPSI 130/06

7 780⁸¹ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "PSI 130/06, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 3.

PSSI 75/06, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 48А

0.0

КОД:

PSSI75/06

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусECO-PAC 2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяPSSI 75/06

3 223⁵⁹ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "PSSI 75/06, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 48А" 3.

R8008ANJFRGTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8А; Idm: 32А; 195Вт; D2PAK

0.0

КОД:

R8008ANJFRGTL

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусD2PAK МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

RTF025N03FRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 10А; 800мВт; TUMT3

0.0

КОД:

RTF025N03FRATL

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,7нC КорпусTUMT3 МонтажSMD

50¹⁸ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "RTF025N03FRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 10А; 800мВт; TUMT3" 3.