Бренды :: GeneSiC SEMICONDUCTOR

G2R1000MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7

0.0

КОД:

G2R1000MT17J

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-5...20В

1 252⁸⁴ ^₽

Доступность: 911 шт.

Минимальное количество для товара "G2R1000MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7" 1.

G2R1000MT33J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 3,3кВ; 4А; Idm: 8А; 74Вт; TO263-7

0.0

КОД:

G2R1000MT33J

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора21нC КорпусTO263-7 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "G2R1000MT33J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 3,3кВ; 4А; Idm: 8А; 74Вт; TO263-7" 1.

G2R120MT33J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 3,3кВ; TO263-7

0.0

КОД:

G2R120MT33J

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO263-7 МонтажSMD Напряжение сток-исток3,3кВ

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "G2R120MT33J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 3,3кВ; TO263-7" 1.

G3R160MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 40А; 123Вт

0.0

КОД:

G3R160MT12D

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора28нC КорпусTO247-3 МонтажTHT

1 292⁶¹ ^₽

Доступность: 862 шт.

Минимальное количество для товара "G3R160MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 40А; 123Вт" 1.

G3R160MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 40А; 128Вт

0.0

КОД:

G3R160MT12J

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора28нC КорпусTO263-7 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "G3R160MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 40А; 128Вт" 1.

G3R160MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 175Вт

0.0

КОД:

G3R160MT17D

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора21нC КорпусTO247-3 МонтажTHT

2 008⁵² ^₽

Доступность: 392 шт.

Минимальное количество для товара "G3R160MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 175Вт" 1.

G3R160MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 187Вт

0.0

КОД:

G3R160MT17J

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора51нC КорпусTO263-7 МонтажSMD

2 644⁸⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "G3R160MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 187Вт" 1.

G3R20MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт

0.0

КОД:

G3R20MT12K

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора219нC КорпусTO247-4 МонтажTHT

7 139²⁰ ^₽

Доступность: 580 шт.

Минимальное количество для товара "G3R20MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт" 1.

G3R20MT12N, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт

0.0

КОД:

G3R20MT12N

Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-5...15В

10 360⁸⁰ ^₽

Доступность: 120 шт.

Минимальное количество для товара "G3R20MT12N, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт" 1.

G3R20MT17K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 88А; Idm: 300А; 809Вт

0.0

КОД:

G3R20MT17K

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора400нC КорпусTO247-4 МонтажTHT

29 232⁹⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "G3R20MT17K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 88А; Idm: 300А; 809Вт" 1.

G3R20MT17N, Модуль; одиночный транзистор; 1,7кВ; 70А; SOT227B; винтами; 523Вт

0.0

КОД:

G3R20MT17N

Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-5...15В

27 840⁹¹ ^₽

Доступность: 2 шт.

Минимальное количество для товара "G3R20MT17N, Модуль; одиночный транзистор; 1,7кВ; 70А; SOT227B; винтами; 523Вт" 1.

G3R30MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 68А; Idm: 200А; 459Вт

0.0

КОД:

G3R30MT12J

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора155нC КорпусTO263-7 МонтажSMD

4 673³⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "G3R30MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 68А; Idm: 200А; 459Вт" 1.

G3R30MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 63А; Idm: 200А; 400Вт

0.0

КОД:

G3R30MT12K

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора155нC КорпусTO247-4 МонтажTHT

6 463⁰⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "G3R30MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 63А; Idm: 200А; 400Вт" 1.

G3R350MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 74Вт

0.0

КОД:

G3R350MT12D

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора12нC КорпусTO247-3 МонтажTHT

894⁸⁹ ^₽

Доступность: 381 шт.

Минимальное количество для товара "G3R350MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 74Вт" 1.

G3R350MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 75Вт

0.0

КОД:

G3R350MT12J

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора12нC КорпусTO263-7 МонтажSMD

1 093⁷⁵ ^₽

Доступность: 869 шт.

Минимальное количество для товара "G3R350MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 75Вт" 1.

G3R40MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

0.0

КОД:

G3R40MT12D

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора106нC КорпусTO247-3 МонтажTHT

3 221⁵⁹ ^₽

Доступность: 694 шт.

Минимальное количество для товара "G3R40MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт" 1.

G3R40MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 53А; Idm: 140А; 374Вт

0.0

КОД:

G3R40MT12J

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора106нC КорпусTO263-7 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "G3R40MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 53А; Idm: 140А; 374Вт" 1.

G3R40MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

0.0

КОД:

G3R40MT12K

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора106нC КорпусTO247-4 МонтажTHT

3 400⁵⁷ ^₽

Доступность: 300 шт.

Минимальное количество для товара "G3R40MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт" 1.

G3R450MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 88Вт

0.0

КОД:

G3R450MT17D

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора18нC КорпусTO247-3 МонтажTHT

1 392⁰⁵ ^₽

Доступность: 475 шт.

Минимальное количество для товара "G3R450MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 88Вт" 1.

G3R450MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 91Вт

0.0

КОД:

G3R450MT17J

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора18нC КорпусTO263-7 МонтажSMD

1 384⁴⁷ ^₽

Доступность: 844 шт.

Минимальное количество для товара "G3R450MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 91Вт" 1.

G3R45MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт

0.0

КОД:

G3R45MT17D

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора182нC КорпусTO247-3 МонтажTHT

6 642⁰⁵ ^₽

Доступность: 16 шт.

Минимальное количество для товара "G3R45MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт" 1.

G3R45MT17K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт

0.0

КОД:

G3R45MT17K

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора182нC КорпусTO247-4 МонтажTHT

6 761³⁶ ^₽

Доступность: 346 шт.

Минимальное количество для товара "G3R45MT17K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт" 1.

G3R75MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт

0.0

КОД:

G3R75MT12D

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC КорпусTO247-3 МонтажTHT

1 988⁶⁴ ^₽

Доступность: 171 шт.

Минимальное количество для товара "G3R75MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт" 1.

G3R75MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 30А; Idm: 80А; 224Вт

0.0

КОД:

G3R75MT12J

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC КорпусTO263-7 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "G3R75MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 30А; Idm: 80А; 224Вт" 1.