Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя GeneSiC SEMICONDUCTOR - страница 3

Сортировать по:
Новинки ниже
G3R45MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
0.0
G3R45MT17D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора182нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
4 884.13 ₽
Доступность: 9 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R45MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт" 1.

G3R45MT17K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
0.0
G3R45MT17K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора182нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
4 864.21 ₽
Доступность: 217 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R45MT17K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт" 1.

G3R75MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт
0.0
G3R75MT12D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 980.81 ₽
Доступность: 8 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R75MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт" 1.

G3R75MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт
0.0
G3R75MT12K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
1 318.08 ₽
Доступность: 453 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R75MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт" 1.

GD2X100MPS06N, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 650В; If: 108Аx2; SOT227B
0.0
GD2X100MPS06N
Вид упаковкитуба Время готовности10нс Импульсный ток0,44кА Конструкция диода2 независимых диода КорпусSOT227B
7 465.68 ₽
Доступность: 83 шт.
 

Минимальное количество для товара "GD2X100MPS06N, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 650В; If: 108Аx2; SOT227B" 1.

GD2X100MPS12N, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1,2кВ; If: 100Аx2; SOT227B
0.0
GD2X100MPS12N
Вид упаковкитуба Время готовности10нс Импульсный ток0,8кА Конструкция диода2 независимых диода КорпусSOT227B
15 473.06 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD2X100MPS12N, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1,2кВ; If: 100Аx2; SOT227B" 100.

GD2X30MPS06N, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 650В; If: 30Аx2; SOT227B
0.0
GD2X30MPS06N
Вид упаковкитуба Время готовности10нс Импульсный ток0,168кА Конструкция диода2 независимых диода КорпусSOT227B
3 676.01 ₽
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "GD2X30MPS06N, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 650В; If: 30Аx2; SOT227B" 1.

GD2X30MPS12N, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1,2кВ; If: 30Аx2; SOT227B
0.0
GD2X30MPS12N
Вид упаковкитуба Время готовности10нс Импульсный ток0,24кА Конструкция диода2 независимых диода КорпусSOT227B
5 390.41 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD2X30MPS12N, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1,2кВ; If: 30Аx2; SOT227B" 1.

Фильтры товаров
Срок поставки