Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя INFINEON TECHNOLOGIES - страница 82

Сортировать по:
Новинки ниже
SN7002WH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,23А; 0,5Вт; SOT323
0.0
SN7002WH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусSOT323 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
41.09 ₽
Доступность: 97 шт.
 

Минимальное количество для товара "SN7002WH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,23А; 0,5Вт; SOT323" 1.

SPA06N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 6А; 39Вт; PG-TO220-3-FP
0.0
SPA06N80C3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3-FP МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
403.52 ₽
Доступность: 54 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPA06N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 6А; 39Вт; PG-TO220-3-FP" 1.

SPA07N60C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; 32Вт; PG-TO220-3-FP
0.0
SPA07N60C3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3-FP МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
266.32 ₽
Доступность: 112 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPA07N60C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; 32Вт; PG-TO220-3-FP" 1.

SPA08N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8А; 40Вт; PG-TO220-3-FP
0.0
SPA08N80C3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3-FP МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
295.67 ₽
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPA08N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8А; 40Вт; PG-TO220-3-FP" 1.

SPA11N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; 34Вт; PG-TO220-3-FP
0.0
SPA11N80C3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3-FP МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
476.16 ₽
Доступность: 406 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPA11N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; 34Вт; PG-TO220-3-FP" 1.

SPA15N60C3XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 9,4А; Idm: 45А; 34Вт
0.0
SPA15N60C3XKSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO220 FP МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
492.30 ₽
Доступность: 41 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPA15N60C3XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 9,4А; Idm: 45А; 34Вт" 1.

SPA17N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 17А; 42Вт; PG-TO220-3-FP
0.0
SPA17N80C3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3-FP МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
618.49 ₽
Доступность: 33 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPA17N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 17А; 42Вт; PG-TO220-3-FP" 1.

SPA20N60C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13,1А; 34,5Вт; PG-TO220-3-FP
0.0
SPA20N60C3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3-FP МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
784.30 ₽
Доступность: 45 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPA20N60C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13,1А; 34,5Вт; PG-TO220-3-FP" 1.

SPB17N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 17А; 227Вт; PG-TO263-3
0.0
SPB17N80C3
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток800В
922.96 ₽
Доступность: 240 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPB17N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 17А; 227Вт; PG-TO263-3" 1.

SPB18P06PGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,6А; 81,1Вт; PG-TO263-3
0.0
SPB18P06PGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
247.25 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPB18P06PGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,6А; 81,1Вт; PG-TO263-3" 1.

SPB20N60C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
0.0
SPB20N60C3
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
618.49 ₽
Доступность: 752 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPB20N60C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3" 1.

SPB80P06PGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3
0.0
SPB80P06PGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
672.78 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPB80P06PGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3" 1.

SPD04P10PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4А; 38Вт; PG-TO252-3
0.0
SPD04P10PGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-100В
90.98 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD04P10PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4А; 38Вт; PG-TO252-3" 1.

SPD04P10PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4,2А; 38Вт; PG-TO252-3
0.0
SPD04P10PLGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-100В
190.02 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD04P10PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4,2А; 38Вт; PG-TO252-3" 1.

SPD08P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8,8А; 42Вт; PG-TO252-3
0.0
SPD08P06PGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
129.13 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD08P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8,8А; 42Вт; PG-TO252-3" 1.

SPD09P06PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -9,7А; 42Вт; PG-TO252-3
0.0
SPD09P06PLGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
192.22 ₽
Доступность: 1480 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD09P06PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -9,7А; 42Вт; PG-TO252-3" 1.

SPD15P10PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO252-3
0.0
SPD15P10PGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-100В
327.95 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD15P10PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO252-3" 1.

SPD15P10PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO252-3
0.0
SPD15P10PLGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-100В
272.93 ₽
Доступность: 2149 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD15P10PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO252-3" 1.

SPD18P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
0.0
SPD18P06PGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
219.37 ₽
Доступность: 2340 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD18P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3" 1.

SPD30P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -30А; 125Вт; PG-TO252-3
0.0
SPD30P06PGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
293.47 ₽
Доступность: 980 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD30P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -30А; 125Вт; PG-TO252-3" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Рабочее напряжение
Срок поставки