INFINEON TECHNOLOGIES

0.0
IPAN80R360P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора30нC КорпусTO220FP
37216 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPAN80R360P7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8,6А; 30Вт; TO220FP; ESD" 1.

0.0
IPB009N03LGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
000 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB009N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7" 1.

0.0
IPB010N06NATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
1 57860 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB010N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

0.0
IPB011N04LGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
000 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB011N04LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7" 1.

0.0
IPB011N04NGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
000 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB011N04NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7" 1.

0.0
IPB014N06NATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
71591 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB014N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 214Вт; PG-TO263-7" 1.

0.0
IPB015N04LG
Вид каналаобогащенный Заряд затвора260нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
60417 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB015N04LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
IPB015N04NGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
75379 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB015N04NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
IPB015N08N5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
1 18087 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB015N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7" 1.

0.0
IPB016N06L3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
000 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB016N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7" 1.

0.0
IPB017N06N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
64678 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB017N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7" 1.

0.0
IPB017N08N5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
1 12973 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB017N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
IPB017N10N5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
1 75758 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB017N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7" 1.

0.0
IPB019N06L3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
38826 
Доступность: 21 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB019N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
IPB019N08N3G
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
000 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB019N08N3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

0.0
IPB020N04NGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
000 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB020N04NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 140А; 167Вт; PG-TO263-7" 1.

0.0
IPB020N10N5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
000 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB020N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
IPB020N10N5LF
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
000 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB020N10N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 313Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
IPB024N08N5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
73580 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB024N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
IPB025N08N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
1 15341 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB025N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
IPB025N10N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
98485 
Доступность: 440 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB025N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

0.0
IPB026N06NATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
41193 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB026N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 136Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
IPB027N10N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
86742 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB027N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

0.0
IPB027N10N5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
000 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB027N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

Показать еще 24 товара