Москва
 
+7 (499) 550-50-61
 

INFINEON TECHNOLOGIES

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
IPD50N10S3L16ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 38А; Idm: 200А
0.0
IPD50N10S3L16ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-11 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50N10S3L16ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 38А; Idm: 200А" 1.

IPD50P03P4L11ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -30В; -42А; Idm: -200А
0.0
IPD50P03P4L11ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-11 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-5...16В Напряжение сток-исток-30В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50P03P4L11ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -30В; -42А; Idm: -200А" 1.

IPD50P04P413ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -40В; -45А; Idm: -200А
0.0
IPD50P04P413ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-313 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-40В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50P04P413ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -40В; -45А; Idm: -200А" 1.

IPD50P04P4L11ATMA2, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -40В; -40А; Idm: -200А
0.0
IPD50P04P4L11ATMA2
Вид каналаобогащенный Заряд затвора14нC КорпусPG-TO252-3-313 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-16...5В
32008 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50P04P4L11ATMA2, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -40В; -40А; Idm: -200А" 1.

IPD50R399CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9А; 83Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD50R399CPATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
34186 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50R399CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD50R399CPBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9А; 83Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD50R399CPBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
34186 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50R399CPBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD50R500CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,8А; Idm: 24А; 57Вт; DPAK
0.0
IPD50R500CEAUMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора18,7нC КорпусDPAK МонтажSMD
17140 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50R500CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,8А; Idm: 24А; 57Вт; DPAK" 1.

IPD50R520CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 7,1А; 66Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD50R520CPATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
28220 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50R520CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 7,1А; 66Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD50R520CPBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 7,1А; 66Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD50R520CPBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
28220 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50R520CPBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 7,1А; 66Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD50R950CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,3А; 34Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD50R950CEATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
14394 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50R950CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,3А; 34Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD5N25S3430ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T; полевой; 250В; 4А; Idm: 20А; 41Вт
0.0
IPD5N25S3430ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-313 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток250В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD5N25S3430ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T; полевой; 250В; 4А; Idm: 20А; 41Вт" 1.

IPD600N25N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 18А; Idm: 100А; 136Вт
0.0
IPD600N25N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток250В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD600N25N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 18А; Idm: 100А; 136Вт" 1.

IPD60R170CFD7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; 76Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD60R170CFD7
Вид каналаобогащенный Заряд затвора28нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
62689 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R170CFD7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; 76Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD60R1K0PFD7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; полевой; 600В; 3А; Idm: 8,8А
0.0
IPD60R1K0PFD7S
ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R1K0PFD7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; полевой; 600В; 3А; Idm: 8,8А" 1.

IPD60R1K5PFD7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; полевой; 600В; 2,2А; Idm: 6А
0.0
IPD60R1K5PFD7S
ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R1K5PFD7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; полевой; 600В; 2,2А; Idm: 6А" 1.

IPD60R210PFD7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; полевой; 600В; 10А; Idm: 42А
0.0
IPD60R210PFD7S
Вид каналаобогащенный КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R210PFD7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; полевой; 600В; 10А; Idm: 42А" 1.

IPD60R280CFD7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 51Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD60R280CFD7
Вид каналаобогащенный Заряд затвора18нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
52462 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R280CFD7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 51Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD60R280P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 53Вт; PG-TO252-3; ESD
0.0
IPD60R280P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора18нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
24432 ₽
Доступность: 2265 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD60R280P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 53Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD60R280P7S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 53Вт; PG-TO252-3; ESD
0.0
IPD60R280P7S
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора18нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
21117 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R280P7S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 53Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD60R280PFD7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; полевой; 600В; 7А; Idm: 31А
0.0
IPD60R280PFD7S
ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R280PFD7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; полевой; 600В; 7А; Idm: 31А" 1.

IPD60R2K0C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,5А; Idm: 6А; 22,3Вт; PG-TO252
0.0
IPD60R2K0C6ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R2K0C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,5А; Idm: 6А; 22,3Вт; PG-TO252" 1.

IPD60R2K0PFD7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; полевой; 600В; 1,9А; Idm: 4,5А
0.0
IPD60R2K0PFD7S
ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R2K0PFD7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; полевой; 600В; 1,9А; Idm: 4,5А" 1.

IPD60R360P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 41Вт; PG-TO252-3; ESD
0.0
IPD60R360P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора13нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R360P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 41Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD60R360PFD7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; полевой; 600В; 6А; Idm: 24А
0.0
IPD60R360PFD7S
ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R360PFD7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; полевой; 600В; 6А; Idm: 24А" 1.

Показать еще 24 товара