Москва
Валюты:
₽
₽ $
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

IXYS

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
IXFN24N100, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 24А; SOT227B; винтами; Idm: 96А
0.0
IXFN24N100
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора250нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 151.78 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN24N100, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 24А; SOT227B; винтами; Idm: 96А" 1.

IXFN26N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 23А; SOT227B; винтами; Idm: 65А
0.0
IXFN26N100P
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора197нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 543.87 ₽
Доступность: 6 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN26N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 23А; SOT227B; винтами; Idm: 65А" 1.

IXFN26N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; винтами; 695Вт
0.0
IXFN26N120P
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора255нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 750.99 ₽
Доступность: 7 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN26N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; винтами; 695Вт" 1.

IXFN27N120SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 21,5А; SOT227B; винтами; SiC
0.0
IXFN27N120SK
Вид каналаобогащенный Заряд затвора160нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами
10 222.92 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN27N120SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 21,5А; SOT227B; винтами; SiC" 1.

IXFN300N10P, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 295А; SOT227B; винтами; 1070Вт
0.0
IXFN300N10P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора279нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 528.06 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN300N10P, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 295А; SOT227B; винтами; 1070Вт" 1.

IXFN300N20X3, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 300А; SOT227B; винтами; 695Вт
0.0
IXFN300N20X3
Вид каналаобогащенный Время готовности172нс Заряд затвора375нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 727.27 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN300N20X3, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 300А; SOT227B; винтами; 695Вт" 1.

IXFN30N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; винтами; 890Вт
0.0
IXFN30N120P
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора310нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
12 602.37 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN30N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

IXFN320N17T2, Модуль; одиночный транзистор; 170В; 260А; SOT227B; винтами; 1070Вт
0.0
IXFN320N17T2
Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора640нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
9 195.26 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN320N17T2, Модуль; одиночный транзистор; 170В; 260А; SOT227B; винтами; 1070Вт" 1.

IXFN32N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 27А; SOT227B; винтами; Idm: 75А
0.0
IXFN32N100P
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора225нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 815.81 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN32N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 27А; SOT227B; винтами; Idm: 75А" 1.

IXFN32N100Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 28А; SOT227B; винтами; Idm: 96А
0.0
IXFN32N100Q3
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора195нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
13 630.04 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN32N100Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 28А; SOT227B; винтами; Idm: 96А" 1.

IXFN32N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 32А; SOT227B; винтами; 1000Вт
0.0
IXFN32N120P
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора360нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
14 676.68 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN32N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 32А; SOT227B; винтами; 1000Вт" 1.

IXFN32N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 29А; SOT227B; винтами; 625Вт
0.0
IXFN32N80P
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора150нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 318.58 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN32N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 29А; SOT227B; винтами; 625Вт" 1.

IXFN340N07, Модуль; одиночный транзистор; 70В; 340А; SOT227B; винтами; 700Вт
0.0
IXFN340N07
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора0,49мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
10 222.92 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN340N07, Модуль; одиночный транзистор; 70В; 340А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

IXFN360N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 360А; SOT227B; винтами; 830Вт
0.0
IXFN360N10T
Вид каналаобогащенный Время готовности130нс Заряд затвора525нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 305.14 ₽
Доступность: 198 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN360N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 360А; SOT227B; винтами; 830Вт" 1.

IXFN36N100, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 36А; SOT227B; винтами; Idm: 144А
0.0
IXFN36N100
Вид каналаобогащенный Время готовности180нс Заряд затвора380нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
15 631.62 ₽
Доступность: 18 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN36N100, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 36А; SOT227B; винтами; Idm: 144А" 1.

IXFN38N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; винтами; Idm: 120А
0.0
IXFN38N100P
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора0,35мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 895.65 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN38N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; винтами; Idm: 120А" 1.

IXFN400N15X3, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 400А; SOT227B; винтами; 695Вт
0.0
IXFN400N15X3
Вид каналаобогащенный Время готовности132нс Заряд затвора365нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 089.33 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN400N15X3, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 400А; SOT227B; винтами; 695Вт" 1.

IXFN40N110P, Модуль; одиночный транзистор; 1,1кВ; 34А; SOT227B; винтами; 890Вт
0.0
IXFN40N110P
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора310нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 094.86 ₽
Доступность: 1 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN40N110P, Модуль; одиночный транзистор; 1,1кВ; 34А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

IXFN40N110Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1,1кВ; 35А; SOT227B; винтами; 960Вт
0.0
IXFN40N110Q3
Вид каналаобогащенный Время готовности434нс Заряд затвора300нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
3 698.02 ₽
Доступность: 2 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN40N110Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1,1кВ; 35А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

IXFN40N90P, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 33А; SOT227B; винтами; Idm: 80А
0.0
IXFN40N90P
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора230нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 500.40 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN40N90P, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 33А; SOT227B; винтами; Idm: 80А" 1.

IXFN420N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 420А; SOT227B; винтами; 670нC
0.0
IXFN420N10T
Вид каналаобогащенный Время готовности140нс Заряд затвора670нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 867.98 ₽
Доступность: 274 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN420N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 420А; SOT227B; винтами; 670нC" 1.

IXFN44N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 37А; SOT227B; винтами; Idm: 110А
0.0
IXFN44N100P
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора0,35мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 021.34 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN44N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 37А; SOT227B; винтами; Idm: 110А" 1.

IXFN44N100Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; винтами; Idm: 110А
0.0
IXFN44N100Q3
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора264нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
13 753.36 ₽
Доступность: 7 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN44N100Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; винтами; Idm: 110А" 1.

IXFN44N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 39А; SOT227B; винтами; 694Вт
0.0
IXFN44N80P
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора200нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 219.76 ₽
Доступность: 7 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN44N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 39А; SOT227B; винтами; 694Вт" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Внешние размеры
    Показать все (19)
Срок поставки