Товары от производителя NEXPERIA - страница 121

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC Код производителяPMPB24EPX
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB24EPX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -4,1А; Idm: -26А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC Код производителяPMPB27EP,115
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB27EP,115, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -3,9А; Idm: -25А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC Код производителяPMPB27EPAX
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB27EPAX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -3,9А; Idm: -25А; 1,7Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC Код производителяPMPB29XPE,115
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB29XPE,115, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -3,2А; Idm: -12А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC Код производителяPMPB29XPEAX
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB29XPEAX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -3,2А; Idm: -12А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC Код производителяPMPB30XPEX
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB30XPEX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -3,9А; Idm: -25А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC Код производителяPMPB33XP,115
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB33XP,115, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -3,5А; Idm: -22А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23,4нC Код производителяPMPB43XPE,115
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB43XPE,115, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -3,1А; Idm: -12А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC Код производителяPMPB47XP,115
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB47XP,115, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -16А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC Код производителяPMPB48EP,115
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB48EP,115, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -3А; Idm: -19А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC Код производителяPMPB48EPAX
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB48EPAX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -3А; Idm: -19А; 1,7Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяPMPB55ENEAX
98.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB55ENEAX, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 2,5А; Idm: 16А; 1,65Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC Код производителяPMPB55XNEAX
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB55XNEAX, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 2,4А; Idm: 16А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,2нC Код производителяPMPB85ENEA/FX
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB85ENEA/FX, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 1,9А; Idm: 12А; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,2нC Код производителяPMPB85ENEAX КорпусDFN2020MD-6, SOT1220
81.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB85ENEAX, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 1,9А; Idm: 12А; 1,6Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяPMPB8XNX
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB8XNX, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 20В; 6,4А; Idm: 40А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,9нC Код производителяPMPB95ENEA/FX
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB95ENEA/FX, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 80В; 1,8А; Idm: 11,2А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,9нC Код производителяPMPB95ENEAX
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB95ENEAX, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 80В; 1,8А; Idm: 11,2А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,9нC Код производителяPMT200EPEX
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMT200EPEX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -70В; -1,5А; Idm: -9,7А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC Код производителяPMT280ENEAX
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMT280ENEAX, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 100В; 1А; Idm: 6А; ESD" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид логич. элем.
Вид микросхемы
Опорное напряжение
Семейство
Тип диода
Тип микросхемы
Тип транзистора
Тип фильтра
Входное напряжение макс.
Кол-во выводов
Конструкция диода
Конфигурация выхода
Напряжение коллектор-эмиттер
Полярность
Рабочее напряжение
Версия
Кол-во каналов
Ток коллектора
Частота
Вид выхода
Емкость
Количество входов
Напряжение пробоя
Напряжение стабилизации
Обратное напряжение макс.
Погрешность
Применение
Рассеиваемая мощность
Ток выхода макс.
Вид входа
Входное напряжение
Выходное напряжение
Импульсный ток
Напряжение затвор - эмиттер
Напряжение сток-исток
Прямой ток
Серия производителя
Синхронизация
Корпус
Падение напряжения макс.
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
Ток стабилизации
Ток стока
Коэффициент усиления по току
Монтаж
Рабочая температура
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Вид транзистора
Время включения
Время готовности
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Вид упаковки
Ток коллектора в импульсе
Ток покоя
Время переключения
Ток стока в импульсном режиме
Характеристики полупроводниковых элементов
Время выключения