Товары от производителя NEXPERIA - страница 113

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Код производителяBUK9Y43-60E,115 МонтажSMD Полярностьполевой
82.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK9Y43-60E,115, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора54,8нC Код производителяBUK9Y4R8-60E,115 КорпусLFPAK56, PowerSO8, SOT669
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK9Y4R8-60E,115, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; Idm: 593А; 238Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Код производителяBUK9Y53-100B,115 МонтажSMD Полярностьполевой
242.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK9Y53-100B,115, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Код производителяBUK9Y58-75B,115 МонтажSMD Полярностьполевой
150.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK9Y58-75B,115, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Код производителяBUK9Y65-100E,115 МонтажSMD Полярностьполевой
127.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK9Y65-100E,115, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC Код производителяBUK9Y6R5-40HX КорпусLFPAK56, PowerSO8, SOT669
264.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK9Y6R5-40HX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 50А; Idm: 284А; 64Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,9нC Код производителяBUK9Y72-80E,115 КорпусLFPAK56, PowerSO8, SOT669
135.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK9Y72-80E,115, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 10,7А; Idm: 61А; 45Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора152нC Код производителяBUK9Y7R0-60ELX КорпусLFPAK56, PowerSO8, SOT669
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK9Y7R0-60ELX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 108А; Idm: 612А; 238,4Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC Код производителяBUK9Y7R2-60E,115 КорпусLFPAK56, PowerSO8, SOT669
301.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK9Y7R2-60E,115, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 72А; Idm: 405А; 167Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,5нC Код производителяBUK9Y7R6-40E,115 КорпусLFPAK56, PowerSO8, SOT669
213.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK9Y7R6-40E,115, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 56А; Idm: 315А; 95Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора54,7нC Код производителяBUK9Y8R5-80EX КорпусLFPAK56, PowerSO8, SOT669
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK9Y8R5-80EX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 75А; Idm: 423А; 238Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Код производителяBUK9Y8R7-60E,115 МонтажSMD Полярностьполевой
313.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK9Y8R7-60E,115, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

Вид транзистораHEMT, каскодный Вид упаковкитуба Заряд затвора22нC Код производителяGAN041-650WSBQ КорпусSOT429, TO247
4 976.78 
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "GAN041-650WSBQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В" 1.

Вид транзистораHEMT, каскодный Вид упаковкитуба Заряд затвора15нC Код производителяGAN063-650WSAQ КорпусSOT429, TO247
3 380.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN063-650WSAQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора6,2нC Код производителяGAN080-650EBEZ
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN080-650EBEZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 29А; Idm: 58А; 240Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора3,5нC Код производителяGAN140-650EBEZ
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN140-650EBEZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 17А; Idm: 32А; 113Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора3,5нC Код производителяGAN140-650FBEZ
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN140-650FBEZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 17А; Idm: 32А; 113Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора2,8нC Код производителяGAN190-650EBEZ
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN190-650EBEZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 11,5А; Idm: 20,5А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора2,8нC Код производителяGAN190-650FBEZ
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN190-650FBEZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 11,5А; Idm: 20,5А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора12нC Код производителяGAN3R2-100CBEAZ
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN3R2-100CBEAZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 100В; 60А; Idm: 230А; 394Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид логич. элем.
Вид микросхемы
Опорное напряжение
Семейство
Тип диода
Тип микросхемы
Тип транзистора
Тип фильтра
Входное напряжение макс.
Кол-во выводов
Конструкция диода
Конфигурация выхода
Напряжение коллектор-эмиттер
Полярность
Рабочее напряжение
Версия
Кол-во каналов
Ток коллектора
Частота
Вид выхода
Емкость
Количество входов
Напряжение пробоя
Напряжение стабилизации
Обратное напряжение макс.
Погрешность
Применение
Рассеиваемая мощность
Ток выхода макс.
Вид входа
Входное напряжение
Выходное напряжение
Импульсный ток
Напряжение затвор - эмиттер
Напряжение сток-исток
Прямой ток
Серия производителя
Синхронизация
Корпус
Падение напряжения макс.
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
Ток стабилизации
Ток стока
Коэффициент усиления по току
Монтаж
Рабочая температура
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Вид транзистора
Время включения
Время готовности
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Вид упаковки
Ток коллектора в импульсе
Ток покоя
Время переключения
Ток стока в импульсном режиме
Характеристики полупроводниковых элементов
Время выключения