Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя PanJit Semiconductor - страница 29

Сортировать по:
Новинки ниже
PJQ5576A-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; DFN5060-8
0.0
PJQ5576A-AU-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусDFN5060-8 МонтажSMD Обозначение производителяPJQ5576A-AU_R2_002A1
324.28 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ5576A-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; DFN5060-8" 1.

PJQ5948-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 37А; Idm: 148А; 30Вт
0.0
PJQ5948-AU-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
201.76 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ5948-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 37А; Idm: 148А; 30Вт" 1.

PJQ5948V-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 35А; Idm: 140А; 32Вт
0.0
PJQ5948V-AU-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,5нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
212.03 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ5948V-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 35А; Idm: 140А; 32Вт" 1.

PJS6403_S1_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,4А; Idm: -46А; 2Вт; SOT23-6
0.0
PJS6403-S1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,8нC КорпусSOT23-6 МонтажSMD
57.23 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJS6403_S1_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,4А; Idm: -46А; 2Вт; SOT23-6" 1.

PJS6421-AU_S1_000A1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -7,4А; Idm: -29,6А; 2Вт
0.0
PJS6421-AU-S1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора16,5нC КорпусSOT23-6 МонтажSMD
87.31 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJS6421-AU_S1_000A1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -7,4А; Idm: -29,6А; 2Вт" 1.

PJS6421_S1_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -7,4А; Idm: -29,6А; 2Вт
0.0
PJS6421-S1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16,5нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
66.03 ₽
Доступность: 2929 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJS6421_S1_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -7,4А; Idm: -29,6А; 2Вт" 1.

PJS6461-AU_S1_000A1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 2Вт
0.0
PJS6461-AU-S1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
61.63 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJS6461-AU_S1_000A1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 2Вт" 1.

PJS6601_S1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 4,1/-3,1А; 1,25Вт
0.0
PJS6601-S1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,6/5,4нC КорпусSOT23-6 МонтажSMD
65.30 ₽
Доступность: 2586 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJS6601_S1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 4,1/-3,1А; 1,25Вт" 1.

PJS6816_S1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5,2А; Idm: 20,8А; 1,25Вт
0.0
PJS6816-S1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
77.77 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJS6816_S1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5,2А; Idm: 20,8А; 1,25Вт" 1.

PJS6839_S1_00001, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -300мА; Idm: -1А; 500мВт
0.0
PJS6839-S1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,1нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
55.76 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJS6839_S1_00001, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -300мА; Idm: -1А; 500мВт" 1.

PJT138K-AU_R1_000A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 360мА; Idm: 1,2А; 236мВт
0.0
PJT138K-AU-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1нC КорпусSOT363 МонтажSMD
44.02 ₽
Доступность: 3000 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJT138K-AU_R1_000A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 360мА; Idm: 1,2А; 236мВт" 1.

PJT7600_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт
0.0
PJT7600-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6/2,2нC КорпусSOT363 МонтажSMD
76.30 ₽
Доступность: 2685 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJT7600_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт" 1.

PJT7600_S1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; SOT363
0.0
PJT7600-S1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT363 МонтажSMD Обозначение производителяPJT7600_S1_00001
44.02 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJT7600_S1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; SOT363" 1.

PJT7603_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 50/-60В; -250/400мА; 350мВт
0.0
PJT7603-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,95/1,1нC КорпусSOT363 МонтажSMD
45.49 ₽
Доступность: 2750 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJT7603_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 50/-60В; -250/400мА; 350мВт" 1.

PJT7605-AU_R1_000A1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; SOT363
0.0
PJT7605-AU-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT363 МонтажSMD Обозначение производителяPJT7605-AU_R1_000A1
144.53 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJT7605-AU_R1_000A1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; SOT363" 1.

PJT7800_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1А; Idm: 4А; 350мВт; SOT363
0.0
PJT7800-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6нC КорпусSOT363 МонтажSMD
23.48 ₽
Доступность: 5968 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJT7800_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1А; Idm: 4А; 350мВт; SOT363" 1.

PJT7801_R1_00001, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -700мА; Idm: -2,8А; 350мВт
0.0
PJT7801-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусSOT363 МонтажSMD
83.64 ₽
Доступность: 2845 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJT7801_R1_00001, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -700мА; Idm: -2,8А; 350мВт" 1.

PJT7828_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 350мВт
0.0
PJT7828-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,9нC КорпусSOT363 МонтажSMD
58.69 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJT7828_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 350мВт" 1.

PJT7838_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 400мА; Idm: 1,2А; 350мВт
0.0
PJT7838-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,95нC КорпусSOT363 МонтажSMD
26.41 ₽
Доступность: 7648 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJT7838_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 400мА; Idm: 1,2А; 350мВт" 1.

PJW3P10A_R2_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -2,6А; Idm: -10,4А; 3,1Вт
0.0
PJW3P10A-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSOT223 МонтажSMD
122.52 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJW3P10A_R2_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -2,6А; Idm: -10,4А; 3,1Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки