Товары от производителя PanJit Semiconductor - страница 32

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,95/1,1нC Код производителяPJX8603_R1_00001 КорпусSOT563
58.87 
Доступность: 1647 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJX8603_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 50/-60В; 360/-200мА; 300мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC Код производителяPSMB050N10NS2_R2_00601 КорпусTO263
501.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PSMB050N10NS2_R2_00601, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; Idm: 480А; 138Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора53нC Код производителяPSMB050N10NS2_T0_00601 КорпусTO263
352.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PSMB050N10NS2_T0_00601, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; Idm: 480А; 138Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65,8нC Код производителяPSMB055N08NS1_R2_00601 КорпусTO263
301.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PSMB055N08NS1_R2_00601, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 108А; Idm: 360А; 113,6Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора65,8нC Код производителяPSMB055N08NS1_T0_00601 КорпусTO263
217.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PSMB055N08NS1_T0_00601, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 108А; Idm: 360А; 113,6Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Код производителяPSMN015N10NS2_R2_00201 КорпусTOLL МонтажSMD
908.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PSMN015N10NS2_R2_00201, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TOLL" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Код производителяPSMN028N10NS2_R2_00201 КорпусTOLL МонтажSMD
784.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PSMN028N10NS2_R2_00201, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TOLL" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора53нC Код производителяPSMP050N10NS2_T0_00601 КорпусTO220ABL
550.58 
Доступность: 13 шт.
 

Минимальное количество для товара "PSMP050N10NS2_T0_00601, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; Idm: 480А; 138Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора65,8нC Код производителяPSMP055N08NS1_T0_00601 КорпусTO220ABL
361.53 
Доступность: 79 шт.
 

Минимальное количество для товара "PSMP055N08NS1_T0_00601, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 111А; Idm: 360А; 136Вт; TO220ABL" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора97нC Код производителяPSMP075N15NS1_T0_00601 КорпусTO220ABL
963.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PSMP075N15NS1_T0_00601, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 125А; Idm: 350А; 258,6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC Код производителяPSMQC040N10NS2_R2_00601 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PSMQC040N10NS2_R2_00601, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 122А; Idm: 488А; 125Вт" 1.

Код производителя2SB1197A_R1_00001 КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току100...300 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В
63.85 
Доступность: 1939 шт.
 

Минимальное количество для товара "2SB1197A_R1_00001, Транзистор: PNP; биполярный; 50В; 3А; 1,25Вт; SOT23" 1.

Код производителя2SD1781A_R1_00001 КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току300...900 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В
91.21 
Доступность: 3452 шт.
 

Минимальное количество для товара "2SD1781A_R1_00001, Транзистор: NPN; биполярный; 50В; 3А; 1,25Вт; SOT23" 1.

Код производителяBC807-40_R1_00001 КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току250...600 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер45В
28.19 
Доступность: 4777 шт.
 

Минимальное количество для товара "BC807-40_R1_00001, Транзистор: PNP; биполярный; 45В; 0,5А; 0,33Вт; SOT23" 1.

Код производителяBC807-40W_R1_00001 КорпусSOT323 Коэффициент усиления по току250...600 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер45В
37.31 
Доступность: 184 шт.
 

Минимальное количество для товара "BC807-40W_R1_00001, Транзистор: PNP; биполярный; 45В; 0,5А; 0,3Вт; SOT323" 1.

Код производителяBC817-25W-AU_R1_000A1 КорпусSOT323 Коэффициент усиления по току160...400 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер45В
38.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BC817-25W-AU_R1_000A1, Транзистор: NPN; биполярный; 45В; 0,5А; 0,3Вт; SOT323" 1.

Код производителяBC817-25W_R1_00001 КорпусSOT323 Коэффициент усиления по току160...400 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер45В
19.90 
Доступность: 190 шт.
 

Минимальное количество для товара "BC817-25W_R1_00001, Транзистор: NPN; биполярный; 45В; 0,5А; 0,3Вт; SOT323" 1.

Код производителяBC817-25W_R2_00001 КорпусSOT323 Коэффициент усиления по току160...400 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер45В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BC817-25W_R2_00001, Транзистор: NPN; биполярный; 45В; 0,5А; 0,3Вт; SOT323" 1.

Код производителяBC817-40_R1_00001 КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току250...600 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер45В
22.39 
Доступность: 8 шт.
 

Минимальное количество для товара "BC817-40_R1_00001, Транзистор: NPN; биполярный; 45В; 0,5А; 0,33Вт; SOT23" 1.

Код производителяBC817-40W_R1_00001 КорпусSOT323 Коэффициент усиления по току250...600 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер45В
24.05 
Доступность: 89 шт.
 

Минимальное количество для товара "BC817-40W_R1_00001, Транзистор: NPN; биполярный; 45В; 0,5А; 0,3Вт; SOT323" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Тип выпрямительного моста
Тип диода
Тип транзистора
Тип фильтра
Вид фильтра
Конструкция диода
Напряжение коллектор-эмиттер
Полярность
Версия
Кол-во каналов
Ток коллектора
Частота
Емкость
Напряжение пробоя
Напряжение стабилизации
Обратное напряжение макс.
Погрешность
Применение
Рассеиваемая мощность
Импульсный ток
Напряжение затвор - эмиттер
Напряжение сток-исток
Прямой ток
Серия производителя
Корпус
Падение напряжения макс.
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
Ток стока
Электрический монтаж
Коэффициент усиления по току
Монтаж
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Время готовности
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Вид упаковки
Ток коллектора в импульсе
Ток стока в импульсном режиме
Характеристики полупроводниковых элементов
Выводы