PSMB055N08NS1_R2_00601, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 108А; Idm: 360А; 113,6Вт; TO263

PSMB055N08NS1-R2

Срок поставки 4-6 недель

309.20 
Оптовые цены:
Кол-во
100+
250+
500+
800+
1600+
Цена
265.76 ₽
221.47 ₽
172.06 ₽
148.21 ₽
143.95 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "PSMB055N08NS1_R2_00601, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 108А; Idm: 360А; 113,6Вт; TO263" 1.

Артикул производителя
PSMB055N08NS1_R2_00601 PanJit Semiconductor
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
65,8нC
Код производителя
PSMB055N08NS1_R2_00601
Корпус
TO263
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
80В
Полярность
полевой
Производитель
PanJit Semiconductor
Рассеиваемая мощность
113,6Вт
Сопротивление в открытом состоянии
7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
108А
Ток стока в импульсном режиме
360А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России