Импульсный ток
8,4А
Конструкция диода
однонаправленный
Корпус
DO13
Монтаж
THT
Напряжение пробоя
130,5В
Обозначение производителя
1N5660A
Обратное напряжение макс.
111В
Погрешность
±5%
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
1,5кВт
Тип диода
TVS
Ток утечки
5мкА
Отзывы не найдены