2N7002NXBKR, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; 0,31Вт

2N7002NXBKR
17.50 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
100+
500+
Цена
12.94 ₽
11.42 ₽
6.85 ₽
5.33 ₽
Доступность: 7197 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "2N7002NXBKR, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; 0,31Вт" 1.

Артикул производителя
2N7002NXBKR NEXPERIA
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
1нC
Корпус
SOT23, TO236AB
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
60В
Обозначение производителя
2N7002NXBKR
Полярность
полевой
Производитель
NEXPERIA
Рассеиваемая мощность
0,31Вт
Сопротивление в открытом состоянии
5,7Ом
Технология
Trench
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
0,17А
Ток стока в импульсном режиме
0,9А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России