Вид упаковки
бобина, лента
Импульсный ток
150,8А
Конструкция диода
однонаправленный
Корпус
DO214AB
Монтаж
SMD
Напряжение пробоя
13,3...14,7В
Обозначение производителя
3.0SMCJ12A
Обратное напряжение макс.
12В
Погрешность
±5%
Производитель
LITTELFUSE
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
3кВт
Серия производителя
3.0SMCJ
Тип диода
TVS
Ток утечки
2мкА
Характеристики полупроводниковых элементов
glass passivated
Отзывы не найдены