Вид упаковки
бобина, лента
Импульсный ток
402,1А
Конструкция диода
однонаправленный
Корпус
DO214AB
Монтаж
SMD
Напряжение пробоя
13,3...14,7В
Обозначение производителя
8.0SMDJ12A
Обратное напряжение макс.
12В
Погрешность
±5%
Производитель
LITTELFUSE
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
8кВт
Серия производителя
8.0SMDJ
Тип диода
TVS
Ток утечки
0,8мА
Характеристики полупроводниковых элементов
glass passivated
Отзывы не найдены