Вид упаковки
бобина, лента
Импульсный ток
165,3А
Конструкция диода
однонаправленный
Корпус
DO214AB
Монтаж
SMD
Напряжение пробоя
33,3...36,8В
Обозначение производителя
8.0SMDJ30A-T7
Обратное напряжение макс.
30В
Погрешность
±5%
Производитель
LITTELFUSE
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
8кВт
Серия производителя
8.0SMDJ
Тип диода
TVS
Ток утечки
5мкА
Характеристики полупроводниковых элементов
glass passivated
Отзывы не найдены