APT1001RBVFRG, Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1кВ; 11А; Idm: 44А

APT1001RBVFRG
4 38542 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
Цена
3 964.96 ₽
3 525.57 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "APT1001RBVFRG, Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1кВ; 11А; Idm: 44А" 1.

Артикул производителя
APT1001RBVFRG MICROCHIP TECHNOLOGY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
150нC
Корпус
TO247-3
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
1кВ
Обозначение производителя
APT1001RBVFRG
Полярность
полевой
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Рассеиваемая мощность
278Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1Ом
Технология
POWER MOS 5®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
11А
Ток стока в импульсном режиме
44А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены