Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина
Корпус
DirectFET
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
100В
Обозначение производителя
AUIRL7766M2TR
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
62,5Вт
Технология
HEXFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
51А
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Отзывы не найдены