B1M080120HC, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт

B1M080120HC

Срок поставки 4-6 недель

4 324.83 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
30+
150+
600+
Цена
3 892.86 ₽
3 438.78 ₽
2 897.96 ₽
2 768.71 ₽
Доступность: 36 шт.
 

Минимальное количество для товара "B1M080120HC, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт" 1.

Артикул производителя
B1M080120HC BASiC SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
149нC
Код производителя
B1M080120HC
Корпус
TO247-3
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Полярность
полевой
Производитель
BASiC SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
241Вт
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
27А
Ток стока в импульсном режиме
80А

Отзывы не найдены

Описание (b1m080120hc.pdf, 1,880 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России