B1M080120HK, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт

B1M080120HK
4 16667 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
30+
150+
Цена
3 749.05 ₽
3 311.55 ₽
2 803.98 ₽
Доступность: 13 шт.

Срок поставки 6 недель

 

Минимальное количество для товара "B1M080120HK, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт" 1.

Артикул производителя
B1M080120HK BASiC SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
149нC
Корпус
TO247-4
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Обозначение производителя
B1M080120HK
Полярность
полевой
Производитель
BASiC SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
241Вт
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
27А
Ток стока в импульсном режиме
80А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены