BSS123_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 170мА; Idm: 0,68А; 500мВт

BSS123-R1
37.46 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
3000+
6000+
9000+
24000+
Цена
21.41 ₽
13.00 ₽
9.94 ₽
8.41 ₽
6.88 ₽
6.12 ₽
5.35 ₽
5.35 ₽
Доступность: 107 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "BSS123_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 170мА; Idm: 0,68А; 500мВт" 1.

Артикул производителя
BSS123_R1_00001 PanJit Semiconductor
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
1,8нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Обозначение производителя
BSS123_R1_00001
Полярность
полевой
Производитель
PanJit Semiconductor
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
10Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
0,17А
Ток стока в импульсном режиме
0,68А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены