BSS123_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 170мА; Idm: 0,68А; 500мВт

BSS123-R1

Срок поставки 4-6 недель

32.31 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
3000+
6000+
Цена
26.36 ₽
14.46 ₽
9.35 ₽
7.65 ₽
5.95 ₽
5.95 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "BSS123_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 170мА; Idm: 0,68А; 500мВт" 1.

Артикул производителя
BSS123_R1_00001 PanJit Semiconductor
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
1,8нC
Код производителя
BSS123_R1_00001
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Полярность
полевой
Производитель
PanJit Semiconductor
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
10Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
0,17А
Ток стока в импульсном режиме
0,68А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России