BXW10M1K2H, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 10А; Idm: 40А; 80,6Вт

BXW10M1K2H

Срок поставки 4-6 недель

1 451.53 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
90+
240+
510+
Цена
1 296.77 ₽
1 088.44 ₽
980.44 ₽
866.50 ₽
778.06 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "BXW10M1K2H, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 10А; Idm: 40А; 80,6Вт" 1.

Артикул производителя
BXW10M1K2H BRIDGELUX
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
29нC
Код производителя
BXW10M1K2H
Корпус
TO247-3
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-3...20В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Полярность
полевой
Производитель
BRIDGELUX
Рассеиваемая мощность
80,6Вт
Сопротивление в открытом состоянии
610мОм
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
10А
Ток стока в импульсном режиме
40А

Отзывы не найдены

Описание (bxw10m1k2h.pdf, 1,486 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России