DMT10H009LCG-7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 9,9А; Idm: 160А; 2,1Вт

DMT10H009LCG-7

Срок поставки 4-6 недель

0.00 
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "DMT10H009LCG-7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 9,9А; Idm: 160А; 2,1Вт" 1.

Артикул производителя
DMT10H009LCG-7 DIODES INCORPORATED
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
катушка 7 дюймов, лента
Заряд затвора
20,2нC
Код производителя
DMT10H009LCG-7
Корпус
V-DFN3333-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Полярность
полевой
Производитель
DIODES INCORPORATED
Рассеиваемая мощность
2,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
12,9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
9,9А
Ток стока в импульсном режиме
160А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России