Москва
 
+7 (993) 080-09-37
 

FCB11N60TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 33А; 125Вт; D2PAK

Написать отзыв
FCB11N60TM
000 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "FCB11N60TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 33А; 125Вт; D2PAK" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
FCB11N60TM ONSEMI
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
52нC
Корпус
D2PAK
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
FCB11N60TM
Полярность
полевой
Производитель
ONSEMI
Рассеиваемая мощность
125Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,38Ом
Технология
SuperFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
7А
Ток стока в импульсном режиме
33А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены