FDA16N50-F109, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9,9А; Idm: 66А; 205Вт; TO3PN

FDA16N50-F109
0.00 
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "FDA16N50-F109, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9,9А; Idm: 66А; 205Вт; TO3PN" 1.

Артикул производителя
FDA16N50-F109 ONSEMI
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
45нC
Корпус
TO3PN
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
500В
Обозначение производителя
FDA16N50-F109
Полярность
полевой
Производитель
ONSEMI
Рассеиваемая мощность
205Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,38Ом
Технология
UniFET™
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
9,9А
Ток стока в импульсном режиме
66А

Отзывы не найдены

Описание (fda16n50_f109.pdf, 1,669 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены