FDB12N50TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 6,9А; Idm: 46А; 165Вт; D2PAK

FDB12N50TM
33807 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
250+
500+
800+
Цена
292.61 ₽
238.64 ₽
218.75 ₽
204.55 ₽
193.18 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "FDB12N50TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 6,9А; Idm: 46А; 165Вт; D2PAK" 1.

Артикул производителя
FDB12N50TM ONSEMI
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
30нC
Корпус
D2PAK
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
500В
Обозначение производителя
FDB12N50TM
Полярность
полевой
Производитель
ONSEMI
Рассеиваемая мощность
165Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,65Ом
Технология
DMOS, UniFET™
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
6,9А
Ток стока в импульсном режиме
46А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены