FDC855N, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6,1А; Idm: 20А; 1,6Вт

FDC855N

Срок поставки 4-6 недель

74.83 
Оптовые цены:
Кол-во
500+
1000+
2000+
3000+
6000+
Цена
41.67 ₽
37.41 ₽
33.16 ₽
31.46 ₽
30.61 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "FDC855N, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6,1А; Idm: 20А; 1,6Вт" 1.

Артикул производителя
FDC855N ONSEMI
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
13нC
Код производителя
FDC855N
Корпус
SuperSOT-6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
30В
Полярность
полевой
Производитель
ONSEMI
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Сопротивление в открытом состоянии
39,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
6,1А
Ток стока в импульсном режиме
20А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России