FDD6N50TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,8А; Idm: 24А; 89Вт; DPAK

FDD6N50TM

Срок поставки 4-6 недель

199.83 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
Цена
145.41 ₽
128.40 ₽
114.80 ₽
103.74 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "FDD6N50TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,8А; Idm: 24А; 89Вт; DPAK" 1.

Артикул производителя
FDD6N50TM ONSEMI
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
16,6нC
Код производителя
FDD6N50TM
Корпус
DPAK
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
500В
Полярность
полевой
Производитель
ONSEMI
Рассеиваемая мощность
89Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,9Ом
Технология
DMOS, UniFET™
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
3,8А
Ток стока в импульсном режиме
24А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России