FDMS4D0N12C, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 114А; Idm: 628А; 106Вт; PQFN8

FDMS4D0N12C

Срок поставки 4-6 недель

845.24 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
Цена
716.84 ₽
660.71 ₽
636.05 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "FDMS4D0N12C, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 114А; Idm: 628А; 106Вт; PQFN8" 1.

Артикул производителя
FDMS4D0N12C ONSEMI
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
82нC
Код производителя
FDMS4D0N12C
Корпус
PQFN8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
120В
Полярность
полевой
Производитель
ONSEMI
Рассеиваемая мощность
106Вт
Сопротивление в открытом состоянии
8,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
114А
Ток стока в импульсном режиме
628А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России