FQB8N60CTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,6А; Idm: 30А; 147Вт; D2PAK

FQB8N60CTM
275.10 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
800+
Цена
246.64 ₽
219.76 ₽
197.63 ₽
183.40 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

+

Минимальное количество для товара "FQB8N60CTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,6А; Idm: 30А; 147Вт; D2PAK" 1.

Артикул производителя
FQB8N60CTM ONSEMI
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
36нC
Корпус
D2PAK
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
FQB8N60CTM
Полярность
полевой
Производитель
ONSEMI
Рассеиваемая мощность
147Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,2Ом
Технология
QFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
4,6А
Ток стока в импульсном режиме
30А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены