FQB8N60CTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,6А; Idm: 30А; 147Вт; D2PAK

FQB8N60CTM

Срок поставки 4-6 недель

330.78 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
800+
Цена
295.92 ₽
263.61 ₽
237.24 ₽
221.09 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "FQB8N60CTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,6А; Idm: 30А; 147Вт; D2PAK" 1.

Артикул производителя
FQB8N60CTM ONSEMI
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
36нC
Код производителя
FQB8N60CTM
Корпус
D2PAK
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Полярность
полевой
Производитель
ONSEMI
Рассеиваемая мощность
147Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,2Ом
Технология
QFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
4,6А
Ток стока в импульсном режиме
30А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России