FQD9N25TM-F080, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 4,7А; Idm: 29,6А; 55Вт; DPAK

FQD9N25TM-F080
19886 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
Цена
164.77 ₽
144.89 ₽
131.63 ₽
123.11 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "FQD9N25TM-F080, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 4,7А; Idm: 29,6А; 55Вт; DPAK" 1.

Артикул производителя
FQD9N25TM-F080 ONSEMI
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
20нC
Корпус
DPAK
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
250В
Обозначение производителя
FQD9N25TM-F080
Полярность
полевой
Производитель
ONSEMI
Рассеиваемая мощность
55Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,42Ом
Технология
QFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
4,7А
Ток стока в импульсном режиме
29,6А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены