G2R1000MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7

G2R1000MT17J
1 070 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
50+
100+
Цена
951 ₽
886 ₽
823 ₽
818 ₽
Доступность: 188 шт.

Срок поставки 6 недель

+

Минимальное количество для товара "G2R1000MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7" 1.

Артикул производителя
G2R1000MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Корпус
TO263-7
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Напряжение сток-исток
1,7кВ
Обозначение производителя
G2R1000MT17J
Полярность
полевой
Производитель
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
54Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1Ом
Технология
G2R™, SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
Ток стока в импульсном режиме
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина

Отзывы не найдены

Описание (g2r1000mt17j.pdf, 899 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены