G3R160MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 40А; 123Вт

G3R160MT12D
1 29261 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
120+
600+
Цена
1 185.61 ₽
1 113.64 ₽
1 066.29 ₽
1 034.09 ₽
986.74 ₽
Доступность: 846 шт.

Срок поставки 6 недель

 

Минимальное количество для товара "G3R160MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 40А; 123Вт" 1.

Артикул производителя
G3R160MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
28нC
Корпус
TO247-3
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-5...15В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Обозначение производителя
G3R160MT12D
Полярность
полевой
Производитель
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
123Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,16Ом
Технология
G3R™, SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
16А
Ток стока в импульсном режиме
40А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены