Москва
 
+7 (993) 080-09-37
 

G3R160MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 40А; 128Вт

Написать отзыв
G3R160MT12J
000 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "G3R160MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 40А; 128Вт" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
G3R160MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
28нC
Корпус
TO263-7
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-5...15В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Обозначение производителя
G3R160MT12J
Полярность
полевой
Производитель
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
128Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,16Ом
Технология
G3R™, SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
16А
Ток стока в импульсном режиме
40А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены