G3R160MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 187Вт

G3R160MT17J
2 258 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
Цена
2 190 ₽
1 986 ₽
1 834 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "G3R160MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 187Вт" 1.

Артикул производителя
G3R160MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
51нC
Корпус
TO263-7
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-5...15В
Напряжение сток-исток
1,7кВ
Обозначение производителя
G3R160MT17J
Полярность
полевой
Производитель
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
187Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,16Ом
Технология
G3R™, SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
15А
Ток стока в импульсном режиме
48А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина

Отзывы не найдены

Описание (g3r160mt17j.pdf, 928 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены