G3R350MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 74Вт

G3R350MT12D
89489 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
30+
120+
Цена
735.80 ₽
706.44 ₽
694.13 ₽
Доступность: 374 шт.

Срок поставки 6 недель

 

Минимальное количество для товара "G3R350MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 74Вт" 1.

Артикул производителя
G3R350MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
12нC
Корпус
TO247-3
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-5...15В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Обозначение производителя
G3R350MT12D
Полярность
полевой
Производитель
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
74Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,35Ом
Технология
G3R™, SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
Ток стока в импульсном режиме
16А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены