Вид транзистора
HEMT, каскодный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
22нC
Корпус
SOT429, TO247
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
650В
Обозначение производителя
GAN041-650WSBQ
Полярность
полевой
Производитель
NEXPERIA
Рассеиваемая мощность
187Вт
Сопротивление в открытом состоянии
35мОм
Технология
GaN
Тип транзистора
N-JFET/N-MOSFET
Ток стока
33,4А
Ток стока в импульсном режиме
240А
Отзывы не найдены