GAN041-650WSBQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В

GAN041-650WSBQ
1 767 
Оптовые цены:
Кол-во
30+
300+
Цена
1 621 ₽
1 584 ₽
Доступность: 36 шт.

Срок поставки 6 недель

+

Минимальное количество для товара "GAN041-650WSBQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В" 1.

Артикул производителя
GAN041-650WSBQ NEXPERIA
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид транзистора
HEMT, каскодный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
22нC
Корпус
SOT429, TO247
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
650В
Обозначение производителя
GAN041-650WSBQ
Полярность
полевой
Производитель
NEXPERIA
Рассеиваемая мощность
187Вт
Сопротивление в открытом состоянии
35мОм
Технология
GaN
Тип транзистора
N-JFET/N-MOSFET
Ток стока
33,4А
Ток стока в импульсном режиме
240А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены