GAN063-650WSAQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В

GAN063-650WSAQ
3 146 
Оптовые цены:
Кол-во
30+
270+
300+
510+
Цена
2 776 ₽
2 406 ₽
2 387 ₽
2 295 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "GAN063-650WSAQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В" 1.

Артикул производителя
GAN063-650WSAQ NEXPERIA
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид транзистора
HEMT, каскодный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
15нC
Корпус
SOT429, TO247
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
650В
Обозначение производителя
GAN063-650WSAQ
Полярность
полевой
Производитель
NEXPERIA
Рассеиваемая мощность
143Вт
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм
Технология
GaN
Тип транзистора
N-JFET/N-MOSFET
Ток стока
24,4А
Ток стока в импульсном режиме
150А

Отзывы не найдены

Описание (gan063-650wsa.pdf, 282 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены