Вид транзистора
HEMT, каскодный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
15нC
Корпус
SOT429, TO247
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
650В
Обозначение производителя
GAN063-650WSAQ
Полярность
полевой
Производитель
NEXPERIA
Рассеиваемая мощность
143Вт
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм
Технология
GaN
Тип транзистора
N-JFET/N-MOSFET
Ток стока
24,4А
Ток стока в импульсном режиме
150А
Отзывы не найдены