Москва
 +7(499)550-50-61
NEXPERIA

GAN190-650EBEZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 11,5А; Idm: 20,5А

Написать отзыв
GAN190-650EBEZ

Срок поставки 4-6 недель

Бренд: NEXPERIA
0.00 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "GAN190-650EBEZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 11,5А; Idm: 20,5А" 1.

Отложить
Артикул производителя
GAN190-650EBEZ NEXPERIA
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид транзистора
HEMT
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
2,8нC
Код производителя
GAN190-650EBEZ
Корпус
DFN8080-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-1,4...7В
Напряжение сток-исток
650В
Полярность
полевой
Производитель
NEXPERIA
Рассеиваемая мощность
125Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом
Технология
GaN
Тип транзистора
N-JFET
Ток стока
11,5А
Ток стока в импульсном режиме
20,5А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина
Найти похожие

Отзывы не найдены

Описание (gan190-650ebe.pdf, 8,102 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России