Москва
 +7(993)080-09-37

GAN190-650FBEZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 11,5А; Idm: 20,5А

Написать отзыв
GAN190-650FBEZ
0.00 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "GAN190-650FBEZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 11,5А; Idm: 20,5А" 1.

Отложить
Артикул производителя
GAN190-650FBEZ NEXPERIA
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид транзистора
HEMT
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
2,8нC
Корпус
DFN5060-5
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-1,4...7В
Напряжение сток-исток
650В
Обозначение производителя
GAN190-650FBEZ
Полярность
полевой
Производитель
NEXPERIA
Рассеиваемая мощность
125Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом
Технология
GaN
Тип транзистора
N-JFET
Ток стока
11,5А
Ток стока в импульсном режиме
20,5А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина
Найти похожие

Отзывы не найдены

Описание (gan190-650fbe.pdf, 313 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены