IAUS165N08S5N029ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 165А; Idm: 660А; 167Вт

IAUS165N08S5N029
‍611‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
50+
100+
Цена
465 ₽
402 ₽
362 ₽
340 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "IAUS165N08S5N029ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 165А; Idm: 660А; 167Вт" 1.

Артикул производителя
IAUS165N08S5N029ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
31нC
Корпус
PG-HSOG-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
80В
Обозначение производителя
IAUS165N08S5N029ATMA1
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
167Вт
Сопротивление в открытом состоянии
2,9мОм
Технология
OptiMOS™ 5
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
165А
Ток стока в импульсном режиме
660А

Отзывы не найдены

Описание (iaus165n08s5n029.pdf, 329 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены