Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
36нC
Корпус
PG-HSOF-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
80В
Обозначение производителя
IAUT200N08S5N023ATMA1
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
200Вт
Сопротивление в открытом состоянии
2,3мОм
Технология
OptiMOS™ 5
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
200А
Отзывы не найдены