IGT60R070D1ATMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 31А; Idm: 60А

IGT60R070D1ATMA1
000 
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "IGT60R070D1ATMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 31А; Idm: 60А" 1.

Артикул производителя
IGT60R070D1ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид транзистора
HEMT
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
5,8нC
Корпус
PG-HSOF-8-3
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-10В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
IGT60R070D1ATMA1
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
125Вт
Сопротивление в открытом состоянии
70мОм
Технология
CoolGaN™
Тип транзистора
N-JFET
Ток стока
31А
Ток стока в импульсном режиме
60А
Ток управления
20мА

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены